Ero sivun ”Kapasitanssi” versioiden välillä

Radioamatööriwikistä
Siirry navigaatioon Siirry hakuun
>Oh2mqk
(teksti tähän ja "katso lisää" osoittaa eteenpäin)
>Aulis Eskola
(suureisiin)
Rivi 1: Rivi 1:
[[Category:Teoria]][[Category:Teoria]]
[[Category:Teoria]][[Category:Teoria]][[Category:Suureet]]
== Kapasitanssi ==
== Kapasitanssi ==
Kondensaattorin ''kapasitanssi'' (engl: ''capacitance'') (C) on sen potentiaalieron (tai [[jännite|jännitteen]], V) mitta, joka muodostuu kondensaattorin pintojen väliin, kun siihen kerätään annettu [[varaus]] (Q):
Kondensaattorin ''kapasitanssi'' (engl: ''capacitance'') (C) on sen potentiaalieron (tai [[jännite|jännitteen]], V) mitta, joka muodostuu kondensaattorin pintojen väliin, kun siihen kerätään annettu [[varaus]] (Q):

Versio 6. huhtikuuta 2005 kello 01.23

Kapasitanssi

Kondensaattorin kapasitanssi (engl: capacitance) (C) on sen potentiaalieron (tai jännitteen, V) mitta, joka muodostuu kondensaattorin pintojen väliin, kun siihen kerätään annettu varaus (Q):

SI-järjestelmän yksiköinä kondensaattorin kapasitanssi on yksi faradi, kun yhden coulombin verran varausta aiheuttaa yhden voltin potentiaalieron sen napojen väliin. Koskapa faradi on hyvin suuri yksikkö, kondensaattorien arvoja esitetään yleensä mikrofaradeina (µF), nanofaradeina (nF) tai pikofaradeina (pF).

Yllä annettu yhtälö toimii, kunhan varaus Q on paljon yli yksittäisen elektronin varauksen. Esim. 1 pF kondensaattoriin 1 µV tuottaisi hieman alle yhden elektronin varauksen...

"Rinnakkaisista levyistä" tehdyn kondensaattorin elektrodien välinen kapasitanssi, kun pinta-ala on A ja levyjen väli on d on suunnilleen:

missä C on kapasitanssi faradeina, on tyhjön sähköstaattinen permittiivisyysvakio () ja on käytetyn eristeen suhteellinen dielektrinen permittiivisyys.

Katso lisää