Transistori

Radioamatööriwikistä
Versio hetkellä 28. syyskuuta 2006 kello 13.56 – tehnyt >Oh1gu (→‎Yhteisemitterikytketty vahvistin)
(ero) ← Vanhempi versio | Nykyinen versio (ero) | Uudempi versio → (ero)
Siirry navigaatioon Siirry hakuun
Tämä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Radioamatööriwikiä laajentamalla artikkelia.

Bipolaaritransistori

Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori. [1] Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin:

Kytkennät

Yhteisemitterikytketty vahvistin

BipoCE.PNG

Yhteiskantakytketty vahvistin

Yhteiskollektorikytketty vahvistin

JFET

http://fi.wikipedia.org/wiki/JFET

Liitoskanavafetille on olennaista se että fetti on jännitteellä ohjattu virtavahvistin. Eli kanavan läpi kulkeva virta riippuu hilan jännitteestä.

JFET:it ovat vähäkohinaisia transistoreja, joskin vaativat melko suuren ohjausjännitteen johtaakseen hyvin.

Fetin toimintapisteen asettelu

MOSFET

Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor — Suomeksi Eristehilafetti, jossa hila on eristeen päällä ja sen sähkövarauksen suuruus suhteessa eristeen alla olevaan seostettuun kanavaan säätää kanavan sähköjohtavuutta.

MOSFET:in hila on erittäin herkkä vaurioitumaan pienestäkin ylijännitteestä. Teho-MOSFET:eissä on tyypillisesti tehokkaat suojat tällaisia jännitevaurioita vastaan, mutta silti varovaisuus kannattaa, etenkin piensignaali/RF malleilla.

Kaksoishila-mosfet:eja käytetään usein vastaanottimien etupäissä siksi, että silloin on helppoa säätää vahvistusta säätämällä toisen hilan jännitetasoa.