Ero sivun ”Transistori” versioiden välillä
>Oh1gu |
>Oh1gu |
||
| (11 välissä olevaa versiota 2 käyttäjän tekeminä ei näytetä) | |||
| Rivi 1: | Rivi 1: | ||
{{stub}} <div class="floatright">__TOC__</div> | |||
== Bipolaaritransistori == | == Bipolaaritransistori == | ||
Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori. | Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori. | ||
[http://www.tekniikka.info/articles/13102.htm] | [http://www.tekniikka.info/articles/13102.htm] | ||
Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin | Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin: | ||
::<math>I_c=h_{\rm FE}*I_b</math> | |||
=== Kytkennät === | |||
==== Yhteisemitterikytketty vahvistin ==== | |||
[[Kuva:BipoCE.PNG]] | |||
==== Yhteiskantakytketty vahvistin ==== | |||
==== Yhteiskollektorikytketty vahvistin ==== | |||
== JFET == | |||
http://fi.wikipedia.org/wiki/JFET | |||
Liitoskanavafetille on olennaista se että fetti on jännitteellä ohjattu virtavahvistin. Eli kanavan läpi kulkeva virta riippuu hilan jännitteestä. | |||
'''JFET''':it ovat vähäkohinaisia transistoreja, joskin vaativat melko suuren ohjausjännitteen johtaakseen hyvin. | |||
=== Fetin toimintapisteen asettelu === | |||
== MOSFET == | |||
''Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor'' — Suomeksi ''Eristehilafetti'', jossa hila on eristeen päällä ja sen sähkövarauksen suuruus suhteessa eristeen alla olevaan seostettuun kanavaan säätää kanavan sähköjohtavuutta. | |||
''MOSFET'':in hila on erittäin herkkä vaurioitumaan pienestäkin ylijännitteestä. | |||
Teho-MOSFET:eissä on tyypillisesti tehokkaat suojat tällaisia jännitevaurioita vastaan, mutta silti varovaisuus kannattaa, etenkin piensignaali/RF malleilla. | |||
Kaksoishila-mosfet:eja käytetään usein vastaanottimien etupäissä siksi, että silloin on helppoa säätää vahvistusta säätämällä toisen hilan jännitetasoa. | |||
[[Category:Tekniikka]][[Category:Teoria]] | |||
Nykyinen versio 28. syyskuuta 2006 kello 13.56
Bipolaaritransistori
Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori. [1] Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin:
Kytkennät
Yhteisemitterikytketty vahvistin
Yhteiskantakytketty vahvistin
Yhteiskollektorikytketty vahvistin
JFET
http://fi.wikipedia.org/wiki/JFET
Liitoskanavafetille on olennaista se että fetti on jännitteellä ohjattu virtavahvistin. Eli kanavan läpi kulkeva virta riippuu hilan jännitteestä.
JFET:it ovat vähäkohinaisia transistoreja, joskin vaativat melko suuren ohjausjännitteen johtaakseen hyvin.
Fetin toimintapisteen asettelu
MOSFET
Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor — Suomeksi Eristehilafetti, jossa hila on eristeen päällä ja sen sähkövarauksen suuruus suhteessa eristeen alla olevaan seostettuun kanavaan säätää kanavan sähköjohtavuutta.
MOSFET:in hila on erittäin herkkä vaurioitumaan pienestäkin ylijännitteestä. Teho-MOSFET:eissä on tyypillisesti tehokkaat suojat tällaisia jännitevaurioita vastaan, mutta silti varovaisuus kannattaa, etenkin piensignaali/RF malleilla.
Kaksoishila-mosfet:eja käytetään usein vastaanottimien etupäissä siksi, että silloin on helppoa säätää vahvistusta säätämällä toisen hilan jännitetasoa.