Ero sivun ”Transistori” versioiden välillä
>Oh2mqk p (tein JFET artikkelista wikipediaan suomennoksen..) |
>Oh2mqk (kaksoishila-mosfet, herkkyys kissannahkasähkölle) |
||
| Rivi 28: | Rivi 28: | ||
''Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor'' — Suomeksi ''Eristehilafetti'', jossa hila on eristeen päällä ja sen sähkövarauksen suuruus suhteessa eristeen alla olevaan seostettuun kanavaan säätää kanavan sähköjohtavuutta. | ''Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor'' — Suomeksi ''Eristehilafetti'', jossa hila on eristeen päällä ja sen sähkövarauksen suuruus suhteessa eristeen alla olevaan seostettuun kanavaan säätää kanavan sähköjohtavuutta. | ||
''MOSFET'':in hila on erittäin herkkä vaurioitumaan pienestäkin ylijännitteestä. | |||
Teho-MOSFET:eissä on tyypillisesti tehokkaat suojat tällaisia jännitevaurioita vastaan, mutta silti varovaisuus kannattaa, etenkin piensignaali/RF malleilla. | |||
Kaksoishila-mosfet:eja käytetään usein vastaanottimien etupäissä siksi, että silloin on helppoa säätää vahvistusta säätämällä toisen hilan jännitetasoa. | |||
[[Category:Tekniikka]][[Category:Teoria]] | [[Category:Tekniikka]][[Category:Teoria]] | ||
Versio 25. syyskuuta 2006 kello 17.39
Bipolaaritransistori
Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori. [1] Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin:
Kytkennät
Yhteisemitterikytketty vahvistin
Yhteiskantakytketty vahvistin
Yhteiskollektorikytketty vahvistin
JFET
http://fi.wikipedia.org/wiki/JFET
Liitoskanavafetille on olennaista se että fetti on jännitteellä ohjattu virtavahvistin. Eli kanavan läpi kulkeva virta riippuu hilan jännitteestä.
JFET:it ovat vähäkohinaisia transistoreja, joskin vaativat melko suuren ohjausjännitteen johtaakseen hyvin.
Fetin toimintapisteen asettelu
MOSFET
Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor — Suomeksi Eristehilafetti, jossa hila on eristeen päällä ja sen sähkövarauksen suuruus suhteessa eristeen alla olevaan seostettuun kanavaan säätää kanavan sähköjohtavuutta.
MOSFET:in hila on erittäin herkkä vaurioitumaan pienestäkin ylijännitteestä. Teho-MOSFET:eissä on tyypillisesti tehokkaat suojat tällaisia jännitevaurioita vastaan, mutta silti varovaisuus kannattaa, etenkin piensignaali/RF malleilla.
Kaksoishila-mosfet:eja käytetään usein vastaanottimien etupäissä siksi, että silloin on helppoa säätää vahvistusta säätämällä toisen hilan jännitetasoa.