Ero sivun ”Transistori” versioiden välillä
>Oh2mqk p (typo) |
>Oh2mqk p (typo) |
||
| Rivi 4: | Rivi 4: | ||
Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori. | Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori. | ||
[http://www.tekniikka.info/articles/13102.htm] | [http://www.tekniikka.info/articles/13102.htm] | ||
Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin. ::<math>Ic=HFE*Ib</math> | Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin. | ||
::<math>Ic=HFE*Ib</math> | |||
=== Kytkennät === | === Kytkennät === | ||
Versio 23. syyskuuta 2006 kello 17.05
Bipolaaritransistori
Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori. [1] Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin.
Kytkennät
Yhteisemitterikytketty vahvistin
Yhteiskantakytketty vahvistin
Yhteiskollektorikytketty vahvistin
JFET
http://en.wikipedia.org/wiki/JFET
Liitoskanavafetille on olennaista se että fetti on jännitteellä ohjattu virtavahvistin. Eli kanavan läpi kulkeva virta riippuu hilan jännitteestä.
JFET:it ovat vähäkohinaisia transistoreja, joskin vaativat melko suuren ohjausjännitteen johtaakseen hyvin.
Fetin toimintapisteen asettelu
MOSFET
Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor — Suomeksi Eristehilafetti, jossa hila on eristeen päällä ja sen sähkövarauksen suuruus suhteessa eristeen alla olevaan seostettuun kanavaan säätää kanavan sähköjohtavuutta.
MOSFET:it kohisevat melkoisesti koska niiden kanava on sähkön kannalta resistiivinen.