Ero sivun ”Transistori” versioiden välillä

Radioamatööriwikistä
Siirry navigaatioon Siirry hakuun
>Oh1gu
>Oh2mqk
(Formatoinnin säätöä, luokittelua, {{stub}} ja muuta pientä.)
Rivi 1: Rivi 1:
{{stub}} <div class="floatright">__TOC__</div>
== Bipolaaritransistori ==
== Bipolaaritransistori ==


Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori.
Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori.
[http://www.tekniikka.info/articles/13102.htm]
[http://www.tekniikka.info/articles/13102.htm]
Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin. <math>Ic=HFE*Ib</math>.
Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin. ::<math>Ic=HFE*Ib</math>.


'''Kytkennät:'''
=== Kytkennät ===


----
==== Yhteisemitterikytketty vahvistin ====


'''Yhteisemitterikytketty vahvistin'''
==== Yhteiskantakytketty vahvistin ====


----
==== Yhteiskollektorikytketty vahvistin ====


'''Yhteiskantakytketty vahvistin'''
== JFET ==


----
http://en.wikipedia.org/wiki/JFET


'''Yhteiskollektorikytketty vahvistin'''
Liitoskanavafetille on olennaista se että fetti on jännitteellä ohjattu virtavahvistin. Eli kanavan läpi kulkeva virta riippuu hilan jännitteestä.


== JFET-transistori ==
'''JFET''':it ovat vähäkohinaisia transistoreja, joskin vaativat melko suuren ohjausjännitteen johtaakseen hyvin.


[http://en.wikipedia.org/wiki/JFET]
=== Fetin toimintapisteen asettelu ===
 
Liitoskanavafetille on olennaista se että fetti on jännitteellä ohjattu virtavahvistin. Eli kanavan läpi kulkeva virta riippuu hilan jännitteestä.


== MOSFET ==
''Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor'' &mdash; Suomeksi ''Eristehilafetti'', jossa hila on eristeen päällä ja sen sähkövarauksen suuruus suhteessa eristeen alla olevaan seostettuun kanavaan säätää kanavan sähköjohtavuutta.


----
'''MOSFET'':it kohisevat melkoisesti koska niiden kanava on sähkön kannalta resistiivinen.
'''Fetin toimintapisteen asettelu'''


== MOSFET-transistori ==
[[Category:Tekniikka]][[Category:Teoria]]

Versio 23. syyskuuta 2006 kello 15.46

Tämä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Radioamatööriwikiä laajentamalla artikkelia.

Bipolaaritransistori

Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori. [1] Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin. ::.

Kytkennät

Yhteisemitterikytketty vahvistin

Yhteiskantakytketty vahvistin

Yhteiskollektorikytketty vahvistin

JFET

http://en.wikipedia.org/wiki/JFET

Liitoskanavafetille on olennaista se että fetti on jännitteellä ohjattu virtavahvistin. Eli kanavan läpi kulkeva virta riippuu hilan jännitteestä.

JFET:it ovat vähäkohinaisia transistoreja, joskin vaativat melko suuren ohjausjännitteen johtaakseen hyvin.

Fetin toimintapisteen asettelu

MOSFET

Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor — Suomeksi Eristehilafetti, jossa hila on eristeen päällä ja sen sähkövarauksen suuruus suhteessa eristeen alla olevaan seostettuun kanavaan säätää kanavan sähköjohtavuutta.

'MOSFET:it kohisevat melkoisesti koska niiden kanava on sähkön kannalta resistiivinen.