Ero sivun ”Transistori” versioiden välillä
>Oh1gu |
>Oh1gu |
||
Rivi 10: | Rivi 10: | ||
==== Yhteisemitterikytketty vahvistin ==== | ==== Yhteisemitterikytketty vahvistin ==== | ||
[[Kuva: | [[Kuva:http://wiki.ham.fi/images/6/6a/BipoCE.PNG]] | ||
==== Yhteiskantakytketty vahvistin ==== | ==== Yhteiskantakytketty vahvistin ==== |
Versio 28. syyskuuta 2006 kello 13.29
Bipolaaritransistori
Bipolaaritransistori on se aito ja alkuperäinen vuonna 1947 keksitty transistori. [1] Olennaista bipolaaritransistorille on se että se on virtaohjattu virtavahvistin:
Kytkennät
Yhteisemitterikytketty vahvistin
Tiedosto:Http://wiki.ham.fi/images/6/6a/BipoCE.PNG
Yhteiskantakytketty vahvistin
Yhteiskollektorikytketty vahvistin
JFET
http://fi.wikipedia.org/wiki/JFET
Liitoskanavafetille on olennaista se että fetti on jännitteellä ohjattu virtavahvistin. Eli kanavan läpi kulkeva virta riippuu hilan jännitteestä.
JFET:it ovat vähäkohinaisia transistoreja, joskin vaativat melko suuren ohjausjännitteen johtaakseen hyvin.
Fetin toimintapisteen asettelu
MOSFET
Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor — Suomeksi Eristehilafetti, jossa hila on eristeen päällä ja sen sähkövarauksen suuruus suhteessa eristeen alla olevaan seostettuun kanavaan säätää kanavan sähköjohtavuutta.
MOSFET:in hila on erittäin herkkä vaurioitumaan pienestäkin ylijännitteestä. Teho-MOSFET:eissä on tyypillisesti tehokkaat suojat tällaisia jännitevaurioita vastaan, mutta silti varovaisuus kannattaa, etenkin piensignaali/RF malleilla.
Kaksoishila-mosfet:eja käytetään usein vastaanottimien etupäissä siksi, että silloin on helppoa säätää vahvistusta säätämällä toisen hilan jännitetasoa.